CHA6652-QXG?是種三級單片Gaas高功率電源電路,可形成2瓦的輸出功率。CHA6652-QXG與可能性的增益控制高度線性,并搭載了功率探測器。包括ESD保護。
Wolfspeed?的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;促使CGH55030F1/CGH55030P1特別適合5.5–5.8-GHzWiMAX和BWA功率放大器應用。
Aeroflex?設計和制作適用范圍廣的定制開發混頻器和倍頻設備,使射頻微波可以從一種頻率轉換為另一種頻率,或相乘以形成新的頻率。
KRYTAR?新式定向耦合器款型1100110010它提供行業中采用最普遍的頻率覆蓋范圍。1100110010定向耦合器100GHz寬帶寬維持平整10dB耦合5G市場的無線設計和其他測試和檢測應用。
SOUTHWEST?顯現的信息表示兩個0.9毫米SuperMini9mil針射頻連接器采用1.85毫米插孔(F)到0.9毫米插頭(M)適配器背對背檢測,由于0.9毫米SuperMini接口校正要求不兼容。要獲取帶適配器的單獨射頻連接器的VSWR,需用取VSWR數據點的平方根,隨后將插入損耗數據點除以2。
MACOM?專注于增加低相位噪聲(>150dBc/Hz@1kHz放大器產品組合用作形成檢測、測量和防御中的重要信號。MACOM低相位噪聲放大器填補NLTLGaAs梳狀發生器系列產品。
Qorvo的CMD275是款寬帶GaAs MMIC低相噪聲放大器芯片特別適合國防軍事、航空航天和通訊系統。在10GHz時,CMD275提供16dB的增益值、20.5dBm飽和輸出功率和5.5dB噪聲系數。
Qorvo的CMD274?是款寬帶GaAs MMIC低相位噪聲放大器芯片,特別適合國防軍事、航空航天和通訊系統。在10ghz時,CMD274提供17dB的增益值,+22dBm的飽和輸出功率,3.2dB的噪音因子。
AMCOM的AM06013033MD-3H?是款寬帶砷化鎵功率放大器模塊,設計用作通用型應用領域。AM06013033MD-3H工作頻率從6GHz到13GHz,通常提供2瓦(33dBm)的連續波輸出功率和28dB的小信號增益值。
Custom MMIC的CMD247?是種寬帶(Ka,Q,U波段)GaAs MMIC低相位噪聲射頻/微波放大器(LPNA),特別適合國防軍事,航空航天和通訊系統。在35GHz時,CMD247提供了13dB的增益值,+15dBm的飽和輸出功率和5dB的噪音因子。
AMCOM的AM07512042MD-3H?是款用作通用型應用的寬帶GaN功率放大器模塊。AM07512042MD-3H微波功率放大器芯片輸出功率從7.5GHz到12GHz,通常提供15瓦(42dBm)的連續波輸出功率和28dB的小信號增益值。
SemiGen?射頻/微波固定衰減器焊盤具備精準的電阻膜和優異的金屬性能和完整性。SemiGen的領先薄膜技術使SemiGen組件具備完整的SMT組裝側封裝和全面的接地反面,因為無需接地聯接,因此容易聯接。
CHA6362-QXG?是種3級單面砷化鎵大功率電源電路,可形成2.5瓦的輸出功率。CHA6362-QXG集成了功率探測器并容許增益控制。包含ESD維護。
?APITech?提供了多種不同的的Powerfilm?芯片終端。這些表面貼裝技術電阻器規定在終端和隔離器中損耗射頻功率。芯片會在BeO,氮化鋁,或碳化硅陶瓷上生產的薄或厚電阻器,依賴于所需要的規格型號。
Wolfspeed的CMPA5259025F?專門為實現高效率而設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益;和寬帶寬性能;從而使得CMPA5259025F特別適合5.2–5.9GHz雷達放大器技術應用。CMPA5259025F選用陶瓷/金屬法蘭封裝。
Qorvo?的CMD246是款寬帶(C,X,Ku,K波段)GaAs MMIC低相位噪聲射頻/微波功率放大器(LPNA),特別適合國防軍事,航空航天和通訊系統。在16GHz時,功率放大器提供17dB的增益值,+18dBm的飽和輸出功率,3.5dB的噪音因子。
NEL Frequency Controls?的ULPN VCXO 0629h壓控晶體振蕩器(VCXO)提供高頻率LVDS互補性輸出。能夠禁止輸出來測試自動化或組成多個時鐘。ULPN VCXO 0629h壓控晶體振蕩器沒有使用其他倍頻,提供極低相位噪聲、抖動和寬張力。
UTE Microwave?雷達環流器適用于雷達應用的標準和定制設計環行器和隔離器UHF到X單結和雙結配備提供波段。
ATM Microwave? 7/16波導同軸直角適配器是比較常見的規格尺寸、材料及法蘭盤訂購部件。但是,7/16波導同軸直角適配器能夠根據使用模型代碼設備輕松滿足客戶需求。
JDSU的Smart Class Fiber OLTS-85/85P光損耗測試套件高效率簡單易用的解決方案可將評估和審核時間減少一部分,同時推動管理實踐的實施。
Teledyne防務電子?提供具備模似和閥值制作的所有類別的探測器,輸出功率范圍包括10MHz至26GHz,具備優異的功率溫度穩定性。
AMCOM的AM00010037MD-1H?專為通用型設計應用的寬帶GaN功率放大器模塊。AM00010037MD-1H微波功率放大器芯片輸出功率為0.05GHz至10.0GHz,一般提供5瓦(37dBm)的連續波輸出功率和12dB的小信號增益值。
MegaPhase? UltraPhase同軸電纜組件可實現高至110GHz的耐熱穩定性,而不至于舍棄插入損耗和相位穩定性與曲折相比較。MegaPhase UltraPhase同軸電纜能夠在寬闊的環境溫度內兼具線性,在環境溫度下并沒有臭名昭著的PTFE“轉折點”。
PULSAR?提供4kHz至3GHz的功率分配器,選用標準化SMA母連接器的連接器封裝形式。2 路功率分配器設計適用于解決1瓦輸入功率。PULSAR集總元件2路功率分配器設計適用于50歐姆操作系統,包含VHF、UHF、Cell和PCS技術應用的頻率。
UMS的CHA8610-99F? 8.5和11是二級高功率放大器GHz一般具備15W的飽和輸出功率和40%的功率增加效率。
UMS的CHA7114-99F?是對X波段設計應用的單片二級GaAs高功率放大器。CHA7114-99F選用UMS0.25μm功率pHEMT工藝技術,包含根據基材與空氣橋的通孔。
Wolfspeed的CMPA601C025?以氮化鎵為載體(GaN)晶體管具有較高電子遷移率(HEMT)單片微波集成電路(MMIC),處于碳化硅襯底上;采用0.25-μm柵極長度的技術工藝。與硅相比較,SiC上的GaN性能更強;GaAs或GaNonSi;包含更高的擊穿場強、更高的飽和電子漂移速度與更高的導熱系數。
Wolfspeed的CGHV1J025D?是高電壓;氮化鎵在碳化硅襯底上(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT);CGHV1J025D采用0.25-μm柵極尺寸的制作工藝。
ADI?旁路、分集、矩陣與轉換開關是具備非反射旁路開關的低噪聲放大器(LNA),能在10MHz至8000MHz在寬頻范圍之內運行。ADI旁路、分集、矩陣與轉換開關并提供2.8dB低噪聲指數和34dBm高輸出三介交調點(OIP三、能夠實現高動態范圍。
Qorvo?的QPA0012D是款寬帶網絡MMIC根據控制門的低噪音分布式放大器AGC。裸片模式的LNA在2至22GHz在帶寬上工作。QPA0012D特別適合需用超小型、功耗低的電子戰和通信系統。