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CMPA601C025 C波段功率放大器CREE

發布時間：2022-09-15 16:45:15 瀏覽：814

Wolfspeed的CMPA601C025以氮化鎵為載體(GaN)晶體管具有較高電子遷移率(HEMT)單片微波集成電路(MMIC)，處于碳化硅襯底上；采用0.25-μm柵極長度的技術工藝。與硅相比較，SiC上的GaN性能更強；GaAs或GaNonSi；包含更高的擊穿場強、更高的飽和電子漂移速度與更高的導熱系數。與Si相比較，GaNHEMT還提供了更高的功率密度和更寬的頻帶寬度；GaAs；和GaNonSi晶體管。CMPA601C025無功功率配對放大器的設計思路能夠實現非常寬的頻帶寬度。

特征

34dB小信號增益值

40W典型PSAT

電壓高達28V

高擊穿場強

應用

干擾放大器

檢測設備放大器

寬帶放大器

雷達放大器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

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CMPA601C025 C波段功率放大器CREE

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CMPA601C025D	GaN on SiC	6 GHz	12 GHz	25 W	32 dB	32%	28 V	MMIC Bare Die	Die
CMPA601C025F-AMP	GaN on SiC	6 GHz	12 GHz	25 W	33 dB	32%	28 V	Evaluation Board	Flange
CMPA601C025F	GaN on SiC	6 GHz	12 GHz	25 W	33 dB	32%	28 V	Packaged MMIC	Flange

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