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0319NA寬帶變壓器North Hills

2018-11-06 11:44:56

North Hills的0319NA寬帶變壓器，NA系列的寬帶變壓器覆蓋了0.1至300 MHz的頻率范圍內的各種電路配置。塑料包裝設計用于插入印刷電路板。*North Hills應用注釋151-“寬帶變壓器”提供了關于巴倫變壓器主題的進一步信息。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器 North Hills

2018-11-06 11:12:41

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器，這條變壓器在0.1到100MHz的頻率范圍內提供了高度平衡的橫向信號源。在這種情況下，平衡指的是任一腿相對于地面的電壓相等。BF系列變壓器具有內置共模信號注入電路，為測量平衡或UTP系統對噪聲和干擾的易感性提供了理想的手段。

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器，由不平衡繞組和中心抽頭平衡繞組組成的平衡環，雙向傳遞功率，兩個方向匹配。North Hills巴倫斯精密工程低插入和回波損耗。優越的平衡是通過內在對稱的結構來實現的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36

NH16447超高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫提供了測量電路特性至1.2GHz的簡單和直接的方法。超高頻巴倫匹配任一方向的阻抗，并且為低插入和回波損耗進行了精密設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41

North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器，一般用途1千赫茲- 125兆赫，由不平衡繞組和中心抽頭平衡繞組組成的平衡環，雙向傳遞功率，兩個方向匹配。北山巴倫斯精密工程低插入和回波損耗。優越的平衡是通過內在對稱的結構來實現的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是高壓、高功率、高線性和寬帶應用的部分匹配專利設備配置。該器件的總器件外圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R，該器件的總器件外圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26

X波段低噪聲放大器芯片是噪聲系數很低的放大器。一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測設備的放大電路。在放大微弱信號的場合，放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴重，因此希望減小這種噪聲，以提高輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R。HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6 GHz。它也是更大功率器件的理想驅動器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R，這一部分的總閘門寬度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直立的引線和凸緣的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R，這一部分的總閘門寬度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R ，這一部分的總柵極寬度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R，這一部分的總柵極寬度為10mm。AM100MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R，這部分有一個全面的研究7.2mm門的寬度。在AM072MX-CU-R是自行設計的用于高功率微波應用，操作到6GHz。研究銅系列的照片，是在一個自行設計的陶瓷包裝與直導和Cu / W的蓋在一個下拉的安裝方式。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R ，這一部分的總柵極寬度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R，其總柵極寬度為0.5mm。這是一個裸模，可以運行到18千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為33.4 dBm。它可用于低噪聲、高動態范圍的接收機和高功率發射機的驅動器。這部分是符合RoHS標準的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59

S波段C波段X波段Ku波段K波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波段）GaN低噪聲放大器MMIC，。該寬帶器件非常適合要求低噪聲系數性能和高輸入功率生存能力的應用。CMD290提供12.5 dB的增益，相應的噪聲系數為2.3 dB，13 GHz時的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片，是一款高動態范圍GaAs MMIC低噪聲放大器，非常適用于軍事，空間和通信系統，其中小尺寸和高線性度是關鍵設計要求。該器件針對21 GHz進行了優化，可提供超過24 dB的增益，相應的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm，噪聲系數為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R，其總柵極寬度為2.5mm（兩個1.25mm的FET并聯）。這是一個裸模，可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R，其總柵極寬度為10mm（八個1.25mm的FET并聯）。這是一個裸模，可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極寬度為0.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達12 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R，是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為1.25mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達10千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R，是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為2.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達8 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。