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S波段高增益高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管AM120MH2-BI-R

發(fā)布時(shí)間：2018-11-05 15:21:31 瀏覽：1490

描述

AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系列的一部分。HIFET是部分匹配的專利設(shè)備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應(yīng)用。該器件的總器件外圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高功率微波應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，工作頻率高達(dá)6GHz。BI系列采用一種特殊設(shè)計(jì)的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。封裝底部的法蘭同時(shí)作為直流接地、射頻接地和熱路。這個(gè)HiFET是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的。

品牌	型號(hào)	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達(dá)6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz

用于有效散熱的陶瓷封裝

應(yīng)用
寬帶應(yīng)用
高電壓10～14V
無線本地環(huán)路網(wǎng)絡(luò)
個(gè)人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信

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