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?GTRB204402FC L波段高功率RF GaN

發布時間:2024-11-06 17:13:24     瀏覽:522

GTRB204402FC/1CREE的一款350瓦(P3dB)的SiCGaN高電子遷移率晶體管(HEMT),致力于多標準蜂窩狀功率放大器技術應用需求設計。GTRB204402FC具備高效率和無軸環的熱增強封裝。

GTRB204402FC.png

產品規格

闡述:SiC HEMT上的高功率RF GaN 350 W48 V1930-2020 MHz

最低頻率(MHz):1930

最高頻率(MHz):2020

P3dB輸出功率(W):350

增益值(dB):16.3

高效率(%):58

額定電壓(V):48

封裝類別:Earless

封裝:封裝分立晶體管

技術:SiC上的GaN

特征

典型的脈沖CW性能,2020 MHz48 V10μs脈沖寬度,10%pwm占空比,組合輸出

P3dB=350W時的輸出功率

P3dB時的高效率=65%

模特模型1C級(根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001

無鉛并滿足RoHS標準

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