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CHA3512-99F由一個單刀雙通（SPDT）開關，一個單級數(shù)字衰減器和一個雙級行波放大器組成。

專為國防應用而設計。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。

該電路采用pHEMT工藝制造，柵極長度為0.25μm，通過基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術制造。

它以芯片形式提供。