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NPT2024國防L/S波段雷達寬帶晶體管DC - 2.7 GHz

發布時間:2018-09-20 15:31:50     瀏覽:1900

GaN寬帶晶體管50 V,200 W,DC - 2.7 GHz

NPT2024 GaN HEMT是一種寬帶晶體管,針對直流 - 2.7GHz工作進行了優化,采用推挽式配置。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為行業標準塑料封裝,功率為200 W(53 dBm)。NPT2024非常適用于國防通信,陸地移動無線電,航空電子設備,無線基礎設施,ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。采用SIGANTIC®工藝制造 - 一種專有的GaN-on-Silicon技術。

品牌 型號 貨期 庫存
MACOM NPT2024 1周 200
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特征
 Si HEMT D模式晶體管上的GaN
 100%射頻測試
 68%的排水效率@ 900 MHz
 22 dB增益@ 900 MHz
 50 V操作
 可調諧DC - 2.7 GHz
 適用于線性和飽和應用
 符合RoHS *標準,兼容260°C回流焊
 標準塑料包裝,帶螺栓法蘭


應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施


產品規格
電源電壓:50 V.
PSAT:200瓦
增益:20 dB
測試頻率:0.9 GHz
最大頻率:2,700 MHz
最小頻率:0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波(CW)GaN,作為分立器件和模塊,設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,長脈沖雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統,即使用GaN on Si技術提供標準和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產品,采用分立晶體管和集成放大器,采用0.5微米HEMT工藝,在功率,增益,增益平坦度,效率方面表現出優異的RF性能,

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