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GTRB226002FC-V1 S波段高功率RF GaN

發(fā)布時間：2024-11-12 17:06:41 瀏覽：477

GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子遷移率晶體管（HEMT），應用在多標準蜂窩狀功率放大器技術應用。GTRB226002FC-V1具備高效化和無軸環(huán)的熱增強封裝形式。

產品規(guī)格

闡述：SiC HEMT上的高功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最低頻率（MHz）：2110

最高頻率（MHz）：2200

P3dB輸出功率（W）：450

增益值（dB）：15

效率（%）：60

特征

典型的脈沖CW性能：10μs脈沖寬度，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty夾具效率=65%

增益值=14dB

P3dB=450W時的輸出功率

模特模型1B級（根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱阻

無鉛并滿足RoHS標準

GaN基SiC HEMT技術

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