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?PXAE261908NF-V1 S波段高功率射頻LDMOS FET

發布時間:2024-11-08 17:05:23     瀏覽:547

PXAE261908NF-V1CREE的一款240瓦(P3dBLDMOS FET,適用于25152675 MHz頻段的多標準蜂窩狀功率放大器技術應用。PXAE261908NF-V1包含輸入輸出適配、高增益和帶無耳法蘭盤的熱增強封裝。PXAE261908NF-V1采用最新的LDMOS工藝技術,具有卓越的熱穩定性和卓越的安全性能。

PXAE261908NF-V1.png

產品規格

闡述:高功率射頻LDMOS FET240W28 V2515-2675 MHz

最低頻率(MHz):2515

最高頻率(MHz):2675

P3dB輸出功率(W):240

增益值(dB):13.5

工作效率(%):47

工作電壓(V):28

封裝類型:塑料

封裝:封裝分立晶體管

技術應用:LDMOS

特征

典型的脈沖CW性能,2675 MHz28 V輸出功率,P1dB=51 W輸出功率,P3dB=240 W增益值=11.8 dB工作效率=60%

集成化ESD保護

模特模型,2級(根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001

低熱導率

無鉛并滿足RoHS標準

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