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使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

發布時間：2018-09-06 15:19:40 瀏覽：1806

弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具有高輸出功率密度和寬帶寬下的高效率。但是GaN HEMT的線性度通常比GaAs器件的線性度差。本文提出了一種簡單的方法來改善GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨立控制的柵極偏置電壓并聯的多個子單元，然后對子單元輸出進行功率組合。

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