?CMPA1D1E030 Ku波段功率放大器CREE
發(fā)布時間:2024-02-29 17:09:17 瀏覽:777
CREE的CMPA1D1E030D是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC);CMPA1D1E030D選用0.25μm柵極尺寸工藝技術(shù)。與硅相比較,GaN-on-SiC具有更加優(yōu)異的性能;砷化鎵或硅基氮化鎵;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。
特征
27 dB 小信號增益值
30 W 典型 PSAT
工作電壓高至 40 V
高擊穿場強
高溫度操控
應(yīng)用領(lǐng)域
衛(wèi)星通訊上行鏈路
產(chǎn)品規(guī)格
描述:30瓦;13.75 至 14.5 GHz;40V;GaN MMIC 功率放大器
最低頻率(MHz):13750
最高頻率(MHz):14500
最高值輸出功率(W):30
增益值(dB):26.0
效率(%):25
工作電壓(V):40
形式:MMIC 裸片
封裝類別:Die
技術(shù):GaN-on-SiC
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Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 設(shè)計的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器,旨在優(yōu)化窄帶和寬帶功率放大器性能。它封裝尺寸小,適合空間受限場景,具備 1700-6000 MHz 頻率范圍、85 瓦額定功率等性能參數(shù),接口類型多樣且表面處理可定制,廣泛應(yīng)用于信號分割/組合、天線波束形成網(wǎng)絡(luò)等多個領(lǐng)域。