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?CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

發(fā)布時(shí)間：2024-01-18 16:53:30     瀏覽：831

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠?qū)崿F(xiàn)最好電力設(shè)備和熱穩(wěn)定性。

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特征

7.9–8.4GHz工作

80WPOUT（典型值）

>13dB功率增益值

33%典型線性PAE

50Ω內(nèi)部搭配

<0.1dB功率降低

應(yīng)用領(lǐng)域

衛(wèi)星通訊

地面寬帶

產(chǎn)品規(guī)格

描述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；輸入/輸出搭配GaNHEMT

最低頻率(MHz)：7900

最高頻率(MHz)：8400

最高值輸出功率(W)：50

增益值(dB)：13.0

效率（％）：33

額定電壓(V)：40

形式：封裝形式分立晶體管

封裝形式類別：法蘭盤

技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC

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