?CHA3666-FAB C/X/Ku波段低噪聲放大器UMS
發(fā)布時間:2024-01-08 17:04:53 瀏覽:630
CHA3666-FAB是種二級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
CHA3666-FAB采用高精度PHEMT工藝技術(shù):0.25um柵極尺寸,橫穿基板的通孔,空氣橋電子束柵極光刻技術(shù)。
CHA3666-FAB推薦使用無導(dǎo)線表面貼裝技術(shù)密封性金屬陶瓷6x6mm封裝,整體性電源為4V/80MA。
CHA3666-FAB常用于空間技術(shù)應(yīng)用,特別適合各種各樣微波和毫米波應(yīng)用與體系。
主要特征
寬帶性能6-16GHZ
1.8db典型相位噪聲
24dbm3e交易截取點(diǎn)
縮減1db時的16dbm功率
21db增益值
低直流電功能損耗
6x6mm金屬陶瓷密封包裝
推薦資訊
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Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 設(shè)計(jì)的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器,旨在優(yōu)化窄帶和寬帶功率放大器性能。它封裝尺寸小,適合空間受限場景,具備 1700-6000 MHz 頻率范圍、85 瓦額定功率等性能參數(shù),接口類型多樣且表面處理可定制,廣泛應(yīng)用于信號分割/組合、天線波束形成網(wǎng)絡(luò)等多個領(lǐng)域。