?CGHV96130F X波段功率放大器CREE
發(fā)布時間:2023-12-12 16:59:41 瀏覽:761
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比,CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比,GaN具有更好的性能;包括更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與GaAs晶體管相比,GaN HEMT還具有更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96130F使用金屬/陶瓷法蘭封裝可以實現(xiàn)最佳的電氣和熱穩(wěn)定性。
特征
166WPOUT(典型值)
7.5dB功率增益值
42%典型PAE
50Ω內(nèi)部適配
<0.3dB功率下降
產(chǎn)品規(guī)格
描述:130瓦;8.4-9.6GHz;50Ω;主要用于X波段雷達應(yīng)用的輸入/輸出適配GaNHEMT
最小頻率(MHz):8400
最大頻率(MHz):9600
最高值輸出功率(W):130
效率(%):42
額定電壓(V):40
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