?Q3XG-1850R SMT 混合耦合器Electro-Photonics
發布時間:2023-12-05 16:51:51 瀏覽:791
Electro-Photonics的Q3XG-1850R耦合器具備SMT性能,對于建議的線路板布局進行全面優化調整。選用中小型封裝,具有低插入損耗和高功率性能。Q3XG-1850R混合耦合器主要用于窄帶和寬帶功率放大器應用領域。
Q3XG-1850R耦合器是非磁性的,適合用在MRI應用上使用。Dragon?耦合器在國外設計制造,滿足RoHS和REACH標準。
Q3XG-1850R標準表層處理是浸錫。能根據需要提供化學鍍鎳浸金(ENIG)。
特征
1500–2200MHz
低損耗
高隔離度
嚴苛的振幅平衡性
90度正交
表面貼裝技術
CTE適配
DCS、PCS、LTE頻率段
卷帶選擇
評估板722-0006-03-E01
規格
規格:0.560x0.350英寸
頻率:1500-2200MHz
額定功率:165瓦
插入損耗:0.10dB
幅度平衡性:±.2
隔離度:28dB
駐波比:1.15
相位平衡性:±2
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Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 設計的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器,旨在優化窄帶和寬帶功率放大器性能。它封裝尺寸小,適合空間受限場景,具備 1700-6000 MHz 頻率范圍、85 瓦額定功率等性能參數,接口類型多樣且表面處理可定制,廣泛應用于信號分割/組合、天線波束形成網絡等多個領域。