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?GTVA101K4 L波段功率放大器CREE

發(fā)布時間：2023-09-13 16:58:47 瀏覽：1082

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

特征

輸入適配

常見的脈沖連續(xù)波性能；960–1215MHz；50V；單層；128μs脈沖寬度；10%pwm占空比；P3dB=1400W時的輸出功率；工作效率=68%；增益值=17dB

無鉛并滿足RoHS標準

應用領域

雷達放大器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業(yè)內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

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CREE (21).png

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
GTVA101K42EV-V1	GaN on SiC	0.96 GHz	1.4 GHz	1400 W	17 dB	68%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Bolt Down
LTN/GTVA101K42EV-V1	GaN on SiC	0.96 GHz	1.4 GHz	1400 W	17 dB	68%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Bolt Down

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