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?GTVA12600雷達放大器CREE

發布時間:2023-06-08 16:49:38     瀏覽:1012

CREE雷達放大器GTVA126001ECGTVA126001FC600GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于12001400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。

特征

輸入適配

常見的單脈沖CW性能(AB類);1200MHz50伏;300μs脈沖頻率;10%pwm占空比;輸出功率(P3dB)=600W;引流效率=65%;增益值=18dB

可以在單脈沖環境下以600W輸出功率承載10:1負載失諧(所有相位差):300μs脈沖頻率;10%pwm占空比;VDD=50VIDQ=100mA

模特模型1C類(根據AnSI/ESDA/JEDECJS-001

無鉛并符合RoHS標準規定

應用

雷達放大器

CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊:http://m.lunliu2.cn/brand/35.html

GTVA12600.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA126001FC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Earless

GTVA126001EC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


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