Teledyne E2V高速ADC芯片EV10AS150B
發(fā)布時間:2022-02-15 17:11:54 瀏覽:1514
Teledyne E2V高速ADC芯片EV10AS150B結(jié)合了個10位2.6Gsps全雙極性模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片,驅(qū)動一個具備可選擇解復(fù)用比(1:2)或(1:4)的全雙極性DMUX芯片。ADC的5GHz全功率輸入帶寬準(zhǔn)許在高中頻范圍(L_波段或S_波段)直接數(shù)字化高至1GHz的寬帶信號。
TeledyneE2V高速ADC芯片EV10AS150B 1:4解復(fù)用數(shù)字輸出與LVDS邏輯兼容,可輕易與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定FPGA或DSP接口。EV10AS150B的DMUX比為1:4時最高可達(dá)2.6Gsps,DMUX比為1:2時最高可達(dá)2.0Gsps(DMUX比為1:2時的速度限制關(guān)鍵取決于2×1Gsps的外界數(shù)據(jù)流交換性能和可用FPGA)。
TeledyneE2V高速ADC芯片EV10AS150BADC+DMUX組合裝置封裝在25×35mm加強(qiáng)型球柵陣列EBGA317中。該封裝基于多層,準(zhǔn)許設(shè)計低阻抗持續(xù)接地和電源模塊平面,及其設(shè)計50Ω控制阻抗線(100Ω差分阻抗)。該封裝具備與FR4應(yīng)用領(lǐng)域板相似的熱膨脹系數(shù)(TCE),因此在重復(fù)熱循環(huán)中具備優(yōu)質(zhì)的長期安全可靠性。
特征
?ADC10位分辨率;
?高至2.6Gsps的采樣率;
?可選擇1:4或1:2解復(fù)用數(shù)字LVDS輸出;
?真正的單核架構(gòu)(無需校準(zhǔn));
?可根據(jù)3線串行接口進(jìn)行外界交疊
–增益調(diào)節(jié)
–偏移調(diào)節(jié)
–采樣延遲調(diào)節(jié)
?滿標(biāo)度模擬輸入電壓范圍500mVpp;
?100Ω差分模擬輸入和時鐘輸入;
?差分?jǐn)?shù)字輸出,LVDS邏輯兼容性;
?低延遲管道延遲;
?輸出數(shù)據(jù)記錄的測試模式(BIST);
?電源管理(休眠、睡眠模式);
?EBGA317(加強(qiáng)型球柵陣列)部件;
應(yīng)用領(lǐng)域
?直接寬帶射頻下變頻;
?寬帶網(wǎng)絡(luò)通信接收器;
?高速儀器設(shè)備;
?高速數(shù)據(jù)管理系統(tǒng);
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推薦資訊
EV12AS350B 是高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器,應(yīng)用于高速測試設(shè)備包括自動測試設(shè)備領(lǐng)域。它采用四個交疊 12 位 ADC 核,有 5.4GSPS 轉(zhuǎn)換速率,具備高采樣率、高分辨率和低雜散特性。
采集直流信號時,ADC 芯片采樣率選擇需綜合考慮精度、成本和系統(tǒng)需求,純直流信號理論上低采樣率(如 10Hz 至 100Hz)即可,但為保障穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性通常需更高采樣率,一般建議至少為信號最高頻率的 5 - 10 倍,多通道信號采集時還需考慮通道數(shù);