Cypress GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
發布時間：2022-01-21 17:09:18 瀏覽：1084
與硅相比較，Cypress 氮化鎵（GaN ）晶體管具備本質的優勢。尤其是與硅MOSFET相比較，高臨界電場促使GaN -HEMT具備優質的動態導通電阻和較小的電容，特別適合于高速開關應用領域。隨后，Cypress 氮化鎵晶體管可以在降低過載時間的情況下運行，以提高工作效率并完成被動冷卻。在高開關頻率下運行可以減少無源器件的容積，從而提升GaN HEMT的安全可靠性和總功率密度。
Cypress GaN 功率晶體管最重要的特點是其反向恢復性能。由于英飛凌的Cool GaN ?晶體管沒有一些光電流和體二極管，并且它們無法顯示反向恢復。因此，可以采用圖騰極PFC等硬開關拓撲來完成更高的效率，例如在數據中心和服務器電源中，從而節約能源并降低經營成本。
英飛凌的Cool GaN ?是高效率的氮化鎵晶體管技術應用，可在高至600V的電壓范圍內實行功率轉換。憑著在半導體行業市場的豐富經驗，英飛凌的GaN 技術應用通過端到端大規模生產使e模式概念成熟。突破性的產品質量保障了最高標準化，并提供了行業市場上所有的GaN HEMT中最可靠、性能最好的解決方案。
Cypress 采用Cool GaN ?開關電源電路具備更高的能源效率和功率密度，這是最先進的硅器件無法完成的。在200-250khz以上的高頻率運行中，開關速度是影響能源傳輸模式的關鍵。英飛凌Cool GaN ?超快的開關速度可以完成極短的過載時間。其預估使用期限超出15年，設備故障率小于1，客戶值得信賴其安全可靠性和產品質量。
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Product | Infineon Package name | Technology | VDS max [V] | RDS (on) max [?] | QG [C] | Mounting | OPN | ID max [A] | IDpuls max [A] | ID @25°C max [A] |
IGT40R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN ? | 400 | 70 | 4.5 | SMT | IGT40R070D1ATMA1 | 31 | 60 | 31 |
IGO60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGO60R070D1AUMA2 | 31 | 60 | 31 |
IGOT60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGOT60R070D1AUMA3 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R070D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGLD60R070D1AUMA3 | 15 | 60 | 15 |
IGT60R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGT60R070D1ATMA4 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R190D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN ? | 600 | 190 | 3.2 | SMT | IGLD60R190D1AUMA3 | 10 | 23 | 10 |
