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LINEAR GaAsFET 偏置發生器

發布時間：2021-08-30 16:59:55 瀏覽：2017

GaAsFET（砷化鎵場效應晶體管）是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率。電子特別容易通過半導體材料。GaAsFET是一款耗盡型機械設備，這就代表著當在操縱電極門沒有電壓時它便會導電，當在門側產生電壓時信道傳導率便會降低。在弱數據信號無線通信和廣播接收中，GaAsFET優于其他類型的場效晶體管。

LINEAR提供了完整性的充電泵DC-DC穩壓器產品，特別適合于用來作為GaAsFET偏置發生器。

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產品型號	Vin (min)	Vin (max)	Output Current (typ)	Output Voltage	Isupply (typ)	Frequency (typ)
	V	V	A		A	Hz
LTC1261L	2.7	5.25	20m	-4.5V, -4V, Adj	650μ	650k
LTC1550L	2.7	5.25	20m	-2.5V, -2V, -4.1V, -4V, Adj	4.2m	900k
LTC1551L	2.7	5.25	20m	-4.1V	3.5m	900k
LTC1550	2.7	5.25	20m	-1.5V, -2.5V, -2V, -4.1V, -4.5V, Adj	4.2m	900k
LTC1551	2.7	5.25	20m	-4.1V	4.2m	900k
LTC1261	3	8	12m	-3V, -4.5V, -4V, -5V, Adj	600μ	550k

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